Elektrische Eigenschaften des Transistors BC527-10
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
Verlustleistung, max: 0.625 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 63 bis 160
Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des BC527-10
Der BC527-10 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor BC527-10 kann eine Gleichstromverstärkung von 63 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC527 liegt im Bereich von 40 bis 400, die des BC527-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BC527-25 im Bereich von 160 bis 400, die des BC527-6 im Bereich von 40 bis 100.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum BC527-10 ist der BC537-10.
