Bipolartransistor BCW67A

Elektrische Eigenschaften des Transistors BCW67A

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -32 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -45 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.8 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des BCW67A

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BCW67A kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des BCW67 liegt im Bereich von 100 bis 630, die des BCW67B im Bereich von 160 bis 400, die des BCW67C im Bereich von 250 bis 630.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BCW67A ist der BCW65A.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BCW67A

Sie können den Transistor BCW67A durch einen BCW68, BCW68F, FMMT591, FMMT591Q, MMBT2907, MMBT2907A, MMBT4354 oder MMBT4355 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com