Bipolartransistor MPS751G

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
• Verlustleistung, max: 0.625 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 75
• Übergangsfrequenz, min: 75 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92
• Der MPS751G ist die bleifreie Version des MPS751-Transistors

Der MPS751G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre NPN-Transistor zum MPS751G ist der MPS651G.Der 2SB1115A (SOT-89), 2SB1115A-YP (SOT-89), 2SB1115A-YQ (SOT-89), BSP61 (SOT-223), FMMT591 (SOT-23), FMMT591Q (SOT-23) und KTA1668Y (SOT-89) ist die SMD-Version des MPS751G-Transistors.Sie können den Transistor MPS751G durch einen MPS751, ZTX792A, ZTX951 oder ZTX953 ersetzen.