Bipolartransistor BC527-25

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC527-25

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC527-25

Der BC527-25 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC527-25 kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC527 liegt im Bereich von 40 bis 400, die des BC527-10 im Bereich von 63 bis 160, die des BC527-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BC527-6 im Bereich von 40 bis 100.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC527-25 ist der BC537-25.

SMD-Version des Transistors BC527-25

Der FMMTA55 (SOT-23), KST55 (SOT-23), MMBT4354 (SOT-23), MMBT4355 (SOT-23), MMBTA55 (SOT-23), PZTA55 (SOT-223) und SMBTA55 (SOT-23) ist die SMD-Version des BC527-25-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC527-25

Sie können den Transistor BC527-25 durch einen BC528, BC528-25, MPS4354, MPS4355, MPS751 oder MPS751G ersetzen.
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