Bipolartransistor BCW67C

Elektrische Eigenschaften des Transistors BCW67C

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -32 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -45 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.8 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 250 bis 630
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des BCW67C

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BCW67C kann eine Gleichstromverstärkung von 250 bis 630 haben. Die Gleichstromverstärkung des BCW67 liegt im Bereich von 100 bis 630, die des BCW67A im Bereich von 100 bis 250, die des BCW67B im Bereich von 160 bis 400.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BCW67C ist der BCW65C.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BCW67C

Sie können den Transistor BCW67C durch einen BCW68 oder BCW68H ersetzen.
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