Bipolartransistor MPSA56G
Elektrische Eigenschaften des Transistors MPSA56G
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -4 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
- Verlustleistung, max: 0.625 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 100
- Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-92
- Der MPSA56G ist die bleifreie Version des MPSA56-Transistors
Pinbelegung des MPSA56G
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Komplementärer NPN-Transistor
SMD-Version des Transistors MPSA56G
Ersatz und Äquivalent für Transistor MPSA56G
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