Bipolartransistor 2SA709Y

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA709Y

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.7 A
  • Verlustleistung, max: 0.8 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SA709Y

Der 2SA709Y wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA709Y kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA709 liegt im Bereich von 40 bis 400, die des 2SA709G im Bereich von 200 bis 400, die des 2SA709O im Bereich von 70 bis 140, die des 2SA709R im Bereich von 40 bis 80.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA709Y-Transistor könnte nur mit "A709Y" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA709Y ist der 2SC1009Y.

SMD-Version des Transistors 2SA709Y

Der 2N5401S (SOT-23), DXT5401 (SOT-89), DZT5401 (SOT-223), KST5401 (SOT-23) und MMBT5401 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA709Y-Transistors.

Transistor 2SA709Y im TO-92-Gehäuse

Der KSA709Y ist die TO-92-Version des 2SA709Y.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA709Y

Sie können den Transistor 2SA709Y durch einen KSA709 oder KSA709Y ersetzen.
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