Bipolartransistor MPS8599G
Elektrische Eigenschaften des Transistors MPS8599G
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
- Verlustleistung, max: 0.625 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 300
- Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-92
- Der MPS8599G ist die bleifreie Version des MPS8599-Transistors
Pinbelegung des MPS8599G
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
SMD-Version des Transistors MPS8599G
Ersatz und Äquivalent für Transistor MPS8599G
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