Bipolartransistor ZTX955

Elektrische Eigenschaften des Transistors ZTX955

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -140 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 1.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 110 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des ZTX955

Der ZTX955 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

SMD-Version des Transistors ZTX955

Der PBHV9215Z (SOT-223) ist die SMD-Version des ZTX955-Transistors.
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