Bipolartransistor 2SA1368-E

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1368-E

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 150 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des 2SA1368-E

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1368-E kann eine Gleichstromverstärkung von 150 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1368 liegt im Bereich von 55 bis 300, die des 2SA1368-C im Bereich von 55 bis 110, die des 2SA1368-D im Bereich von 90 bis 180.

Kennzeichnung

Der 2SA1368-E-Transistor ist als "EE" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1368-E ist der 2SC3438-E.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1368-E

Sie können den Transistor 2SA1368-E durch einen 2SB805, 2SB806, 2SD1006, 2SD1007 oder PBHV9115X ersetzen.
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