Bipolartransistor 2SA709G

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -8 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.7 A
• Verlustleistung, max: 0.8 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 200 bis 400
• Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2SA709G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SA709G kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA709 liegt im Bereich von 40 bis 400, die des 2SA709O im Bereich von 70 bis 140, die des 2SA709R im Bereich von 40 bis 80, die des 2SA709Y im Bereich von 120 bis 240.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA709G-Transistor könnte nur mit "A709G" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA709G ist der 2SC1009G.Der KSA709G ist die TO-92-Version des 2SA709G.Sie können den Transistor 2SA709G durch einen KSA709 oder KSA709G ersetzen.