Bipolartransistor KSA709G

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSA709G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.7 A
  • Verlustleistung, max: 0.8 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SA709G transistor

Pinbelegung des KSA709G

Der KSA709G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung. Der Transistor KSA709CG (mit dem Suffix "C") ist die Version mit mittlerem Kollektor des Transistors KSA709G.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSA709G kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSA709 liegt im Bereich von 70 bis 400, die des KSA709O im Bereich von 70 bis 140, die des KSA709Y im Bereich von 120 bis 240.

Transistor KSA709G im TO-92-Gehäuse

Der 2SA709G ist die TO-92-Version des KSA709G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSA709G

Sie können den Transistor KSA709G durch einen 2SA709 oder 2SA709G ersetzen.
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