Bipolartransistor KSA709G
Elektrische Eigenschaften des Transistors KSA709G
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -8 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.7 A
- Verlustleistung, max: 0.8 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
- Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-92
- Electrically Similar to the Popular 2SA709G transistor
Pinbelegung des KSA709G
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Transistor KSA709G im TO-92-Gehäuse
Ersatz und Äquivalent für Transistor KSA709G
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