Bipolartransistor 2N5401Y

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5401Y

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.6 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2N5401Y

Der 2N5401Y wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N5401Y ist der 2N5551Y.

SMD-Version des Transistors 2N5401Y

Der 2N5401S (SOT-23), DXT5401 (SOT-89), DZT5401 (SOT-223), KST5401 (SOT-23), MMBT5401 (SOT-23) und PMBT5401 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2N5401Y-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5401Y

Sie können den Transistor 2N5401Y durch einen 2N5401, 2SA709, 2SA709Y, KSA709 oder KSA709Y ersetzen.
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