Elektrische Eigenschaften des Transistors KSB1116S-Y
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
Verlustleistung, max: 0.75 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 135 bis 270
Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des KSB1116S-Y
Der KSB1116S-Y wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KSB1116S-Y kann eine Gleichstromverstärkung von 135 bis 270 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB1116S liegt im Bereich von 135 bis 600, die des KSB1116S-G im Bereich von 200 bis 400, die des KSB1116S-L im Bereich von 300 bis 600.