Bipolartransistor KSB1116S-L

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
• Verlustleistung, max: 0.75 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 300 bis 600
• Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der KSB1116S-L wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSB1116S-L kann eine Gleichstromverstärkung von 300 bis 600 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB1116S liegt im Bereich von 135 bis 600, die des KSB1116S-G im Bereich von 200 bis 400, die des KSB1116S-Y im Bereich von 135 bis 270.Der 2SB1115 (SOT-89), 2SB1115-YK (SOT-89), 2SB1122 (SOT-89), 2SB1122-U (SOT-89), 2STR2160 (SOT-23), FMMTA55 (SOT-23), KST55 (SOT-23), MMBTA55 (SOT-23), PZTA55 (SOT-223) und SMBTA55 (SOT-23) ist die SMD-Version des KSB1116S-L-Transistors.Sie können den Transistor KSB1116S-L durch einen 2SB1116, 2SB1116-U, 2SB1116A-U, KSB1116 oder KSB1116-L ersetzen.