Bipolartransistor KSB1116A-Y

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
• Verlustleistung, max: 0.75 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 135 bis 270
• Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92
• Electrically Similar to the Popular 2SB1116A-L transistor

Der KSB1116A-Y wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSB1116A-Y kann eine Gleichstromverstärkung von 135 bis 270 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB1116A liegt im Bereich von 135 bis 400, die des KSB1116A-G im Bereich von 200 bis 400.Der komplementäre NPN-Transistor zum KSB1116A-Y ist der KSD1616A-Y.Der 2SB1115A (SOT-89), 2SB1115A-YQ (SOT-89), FMMT591 (SOT-23) und FMMT591Q (SOT-23) ist die SMD-Version des KSB1116A-Y-Transistors.Der 2SB1116A-L ist die TO-92-Version des KSB1116A-Y.Sie können den Transistor KSB1116A-Y durch einen 2SA1283, 2SB1116A, 2SB1116A-L oder 2SB647 ersetzen.