Bipolartransistor 2SB1116A-L

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
• Verlustleistung, max: 0.75 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 135 bis 270
• Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2SB1116A-L wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1116A-L kann eine Gleichstromverstärkung von 135 bis 270 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1116A liegt im Bereich von 135 bis 400, die des 2SB1116A-K im Bereich von 200 bis 400, die des 2SB1116A-U im Bereich von 300 bis 600.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1116A-L-Transistor könnte nur mit "B1116A-L" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1116A-L ist der 2SD1616A-L.Der 2SB1115A (SOT-89), 2SB1115A-YQ (SOT-89), FMMT591 (SOT-23) und FMMT591Q (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SB1116A-L-Transistors.Der KSB1116A-Y ist die TO-92-Version des 2SB1116A-L.Sie können den Transistor 2SB1116A-L durch einen 2SA1283, 2SB647, KSB1116A oder KSB1116A-Y ersetzen.