Bipolartransistor BD706

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD706

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -45 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
  • Verlustleistung, max: 75 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BD706

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD706 ist der BD705.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD706

Sie können den Transistor BD706 durch einen BD708, BD710, BD906, BD908 oder BD910 ersetzen.
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