Bipolartransistor BD179-6

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD179-6

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 60
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD179-6

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BD179-6 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 60 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD179 liegt im Bereich von 40 bis 250, die des BD179-10 im Bereich von 63 bis 160.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD179-6 ist der BD180-6.

SMD-Version des Transistors BD179-6

Der BDP951 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD179-6-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD179-6

Sie können den Transistor BD179-6 durch einen 2N4923, 2N4923G, 2N5192, 2N5192G, BD441, BD441G, BD789, BD791, MJE240, MJE241, MJE242, MJE243, MJE243G, MJE244 oder NTE184 ersetzen.
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