Bipolartransistor BC558B

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 200 bis 450
• Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
• Rauschzahl, max: 2 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der BC558B wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BC558B kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 450 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC558 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC558A im Bereich von 110 bis 220, die des BC558C im Bereich von 420 bis 800.Der komplementäre NPN-Transistor zum BC558B ist der BC548B.Der BC858 (SOT-23), BC858B (SOT-23), BC858BW (SOT-323), BC858W (SOT-323), BC859 (SOT-23), BC859B (SOT-23), BC859BW (SOT-323) und BC859W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC558B-Transistors.Sie können den Transistor BC558B durch einen BC251, BC251B, BC307, BC307B, BC327, BC415, BC415B, BC416, BC416B, BC446, BC446B, BC557, BC557B, BC559, BC559B, BC560 oder BC560B ersetzen.