Bipolartransistor BC415B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC415B

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -35 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -45 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 180 bis 460
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC415B

Der BC415B wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC415B kann eine Gleichstromverstärkung von 180 bis 460 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC415 liegt im Bereich von 180 bis 800, die des BC415C im Bereich von 380 bis 800.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC415B ist der BC413B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC415B

Sie können den Transistor BC415B durch einen BC251, BC251B, BC256, BC256B, BC307, BC307B, BC327, BC416, BC416B, BC446, BC446B, BC556, BC557 oder BC560 ersetzen.
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