Bipolartransistor BC858BW

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC858BW

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 450
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-323

Pinbelegung des BC858BW

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC858BW kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 450 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC858AW liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC858CW im Bereich von 420 bis 800, die des BC858W im Bereich von 110 bis 800.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC858BW ist der BC848BW.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC858BW

Sie können den Transistor BC858BW durch einen BC807W, BC857BW, BC857W, BC859BW, BC859W, BC860BW, BC860W oder FJX733 ersetzen.
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