Bipolartransistor BC859BW

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.2 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 200 bis 450
• Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
• Rauschzahl, max: 1 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-323

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BC859BW kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 450 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC859AW liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC859CW im Bereich von 420 bis 800, die des BC859W im Bereich von 110 bis 800.Der komplementäre NPN-Transistor zum BC859BW ist der BC849BW.Sie können den Transistor BC859BW durch einen BC807W, BC857BW, BC857W, BC858BW, BC858W, BC860BW, BC860W oder FJX733 ersetzen.