Bipolartransistor BC558A

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC558A

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 110 bis 220
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC558A

Der BC558A wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC558A kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 220 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC558 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC558B im Bereich von 200 bis 450, die des BC558C im Bereich von 420 bis 800.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC558A ist der BC548A.

SMD-Version des Transistors BC558A

Der BC858 (SOT-23), BC858A (SOT-23), BC858AW (SOT-323), BC858W (SOT-323), BC859 (SOT-23), BC859A (SOT-23), BC859AW (SOT-323) und BC859W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC558A-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC558A

Sie können den Transistor BC558A durch einen 2N5375, 2N5823, BC327, BC327-16, BC446, BC486, BC486A, BC488, BC488A, BC557, BC557A, BC559, BC559A, BC560 oder BC560A ersetzen.
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