Bipolartransistor 2SD1444A-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1444A-R

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SD1444A-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1444A-R kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1444A liegt im Bereich von 60 bis 260, die des 2SD1444A-P im Bereich von 130 bis 260, die des 2SD1444A-Q im Bereich von 90 bis 180.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1444A-R-Transistor könnte nur mit "D1444A-R" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1444A-R

Sie können den Transistor 2SD1444A-R durch einen 2N6290, 2N6290G, 2N6291, 2N6292, 2N6292G, 2N6293, 2N6486, 2N6486G, 2N6487, 2N6487G, 2N6488, 2N6488G, 2SD1271, 2SD1271-R, 2SD1588, 2SD568, 2SD568-L, 2SD569, 2SD569-L, 2SD866, 2SD866-R, BD201, BD203, BD301, BD303, BD533, BD535, BD537, BD543, BD543A, BD543B, BD545, BD545A, BD545B, BD705, BD707, BD709, BD743, BD743A, BD743B, BD795, BD797, BD799, BD807, BD809, BD905, BD907, BD909, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT91, BDT91F, BDT93, BDT93F, BDX77, D44H11, D44H11FP, D44H8, KSD1588, KSD568, KSD568-O, KSD569, KSD569-O oder NTE196 ersetzen.
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