Bipolartransistor 2STN1360

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2STN1360

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 1.6 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-223

Pinbelegung des 2STN1360

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2STN1360 ist der 2STN2360.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2STN1360

Sie können den Transistor 2STN1360 durch einen BDP949, BDP951, BDP953, BDP955 oder NZT44H8 ersetzen.
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