Bipolartransistor 2STN1360
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2STN1360
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
- Verlustleistung, max: 1.6 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 400
- Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-223
Pinbelegung des 2STN1360
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2STN1360
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