Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB857-D
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -70 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
Verlustleistung, max: 40 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -45 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SB857-D
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB857-D kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB857 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SB857-B im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB857-C im Bereich von 100 bis 200.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB857-D-Transistor könnte nur mit "B857-D" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB857-D ist der 2SD1133-D.
SMD-Version des Transistors 2SB857-D
Der NZT660 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB857-D-Transistors.
