Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC4008-G
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
Verlustleistung, max: 30 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 250 bis 500
Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SC4008-G
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC4008-G kann eine Gleichstromverstärkung von 250 bis 500 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC4008 liegt im Bereich von 100 bis 500, die des 2SC4008-E im Bereich von 100 bis 200, die des 2SC4008-F im Bereich von 160 bis 320.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC4008-G-Transistor könnte nur mit "C4008-G" gekennzeichnet sein.
SMD-Version des Transistors 2SC4008-G
Der BDP951 (SOT-223) und BDP953 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SC4008-G-Transistors.