Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB750-R
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
Verlustleistung, max: 35 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 1000 bis 2500
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SB750-R
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB750-R kann eine Gleichstromverstärkung von 1000 bis 2500 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB750 liegt im Bereich von 1000 bis 10000, die des 2SB750-P im Bereich von 4000 bis 10000, die des 2SB750-Q im Bereich von 2000 bis 5000.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB750-R-Transistor könnte nur mit "B750-R" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB750-R ist der 2SD836-R.