Bipolartransistor 2SB731-F

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB731-F

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 300 bis 480
  • Übergangsfrequenz, min: 75 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SB731-F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB731-F kann eine Gleichstromverstärkung von 300 bis 480 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB731 liegt im Bereich von 135 bis 600, die des 2SB731-E im Bereich von 360 bis 600, die des 2SB731-K im Bereich von 200 bis 400, die des 2SB731-L im Bereich von 135 bis 270.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB731-F-Transistor könnte nur mit "B731-F" gekennzeichnet sein.

SMD-Version des Transistors 2SB731-F

Der 2SB1115 (SOT-89), 2SB1115-YK (SOT-89), 2SB1122 (SOT-89), 2SB1122-U (SOT-89), 2STR2160 (SOT-23), FMMTA55 (SOT-23), KST55 (SOT-23), MMBT4354 (SOT-23), MMBTA55 (SOT-23), PZTA55 (SOT-223) und SMBTA55 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SB731-F-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB731-F

Sie können den Transistor 2SB731-F durch einen 2SB1143, 2SB1143-U, 2SB986, 2SB986-U, BD168, BD170, BD190, BD236, BD236G, BD238, BD238G, MJE235, MJE252, MJE254, MJE711 oder MJE712 ersetzen.
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