Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB731-F
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
Verlustleistung, max: 10 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 300 bis 480
Übergangsfrequenz, min: 75 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SB731-F
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB731-F kann eine Gleichstromverstärkung von 300 bis 480 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB731 liegt im Bereich von 135 bis 600, die des 2SB731-E im Bereich von 360 bis 600, die des 2SB731-K im Bereich von 200 bis 400, die des 2SB731-L im Bereich von 135 bis 270.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB731-F-Transistor könnte nur mit "B731-F" gekennzeichnet sein.