Bipolartransistor 2SB1122-U

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1122-U

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 280 bis 560
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des 2SB1122-U

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1122-U kann eine Gleichstromverstärkung von 280 bis 560 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1122 liegt im Bereich von 100 bis 560, die des 2SB1122-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1122-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SB1122-T im Bereich von 200 bis 400.

Kennzeichnung

Der 2SB1122-U-Transistor ist als "BEU" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1122-U ist der 2SD1622-U.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1122-U

Sie können den Transistor 2SB1122-U durch einen 2SB1115, 2SB1123, 2SB1123-U, 2SB1124 oder 2SB1124-U ersetzen.
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