Bipolartransistor 2SB710A-R

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
• Verlustleistung, max: 0.2 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 120 bis 240
• Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-23

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB710A-R kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB710A liegt im Bereich von 85 bis 340, die des 2SB710A-Q im Bereich von 85 bis 170, die des 2SB710A-S im Bereich von 170 bis 340.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB710A-R-Transistor könnte nur mit "B710A-R" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB710A-R ist der 2SD602A-R.Sie können den Transistor 2SB710A-R durch einen 2SA1313, 2SA1313-Y, 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, BCW89, FMMT2907A, FMMT2907AR, FMMT591, FMMT591Q, FMMTA55, FMMTA56, KN2907AS, KST2907A, KST55, KST56, KTN2907AS, MMBT2907A, MMBT4354, MMBT4355, MMBT4356, MMBTA55, MMBTA56, PMBT2907A, PMBTA56, PMST2907A, SMBTA55 oder SMBTA56 ersetzen.