Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB710A-Q
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
Verlustleistung, max: 0.2 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 85 bis 170
Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: SOT-23
Pinbelegung des 2SB710A-Q
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB710A-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 85 bis 170 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB710A liegt im Bereich von 85 bis 340, die des 2SB710A-R im Bereich von 120 bis 240, die des 2SB710A-S im Bereich von 170 bis 340.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB710A-Q-Transistor könnte nur mit "B710A-Q" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB710A-Q ist der 2SD602A-Q.
