Bipolartransistor MMBT4356
Elektrische Eigenschaften des Transistors MMBT4356
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.8 A
- Verlustleistung, max: 0.35 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 250
- Rauschzahl, max: 3 dB
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-23
- Electrically Similar to the Popular 2N4356 transistor
Pinbelegung des MMBT4356
Kennzeichnung
Ersatz und Äquivalent für Transistor MMBT4356
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