Bipolartransistor 2SB648-C

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB648-C

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.05 A
  • Verlustleistung, max: 1 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SB648-C

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB648-C kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB648 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SB648-B im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB648-D im Bereich von 160 bis 320.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB648-C-Transistor könnte nur mit "B648-C" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB648-C ist der 2SD668-C.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB648-C

Sie können den Transistor 2SB648-C durch einen 2SA1021, 2SA1021-O, 2SA1142, 2SA1142Q, 2SA1144, 2SA1184, 2SA1209, 2SA1209-R, 2SA1210, 2SA1210-R, 2SA1220, 2SA1220-Q, 2SA1220A, 2SA1220A-Q, 2SA1248, 2SA1248-R, 2SA1249, 2SA1249-R, 2SA1352, 2SA1352-E, 2SA1358, 2SA1360, 2SA1380, 2SA1380-E, 2SA1404, 2SA1404-E, 2SA1405, 2SA1405-E, 2SA1406, 2SA1406-E, 2SA1407, 2SA1407-E, 2SA1408, 2SA1408-O, 2SA1477, 2SA1477-R, 2SA1478, 2SA1478-E, 2SA1507, 2SA1507-R, 2SA1538, 2SA1538-E, 2SA1539, 2SA1539-E, 2SA1540, 2SA1540-E, 2SA1541, 2SA1541-E, 2SA794A, 2SA795, 2SA795A, 2SA914, 2SB1109, 2SB1109-C, 2SB1110, 2SB1110-C, 2SB631K, 2SB631K-E, 2SB648A, 2SB648A-C, 2SB649, 2SB649-C, 2SB649A, 2SB649A-C, HSB1109, HSB1109-C, KSA1142, KSA1142O, KSA1220, KSA1220-O, KSA1220A, KSA1220A-O, KTA1700, KTA1704 oder KTA1704-Y ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com