Bipolartransistor 2SA1209
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1209
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.14 A
- Verlustleistung, max: 10 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 400
- Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SA1209
Klassifizierung von hFE
Kennzeichnung
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1209
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com