Bipolartransistor 2SB1109

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
• Verlustleistung, max: 1.25 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 320
• Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -50 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1109 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1109-B liegt im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB1109-C im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1109-D im Bereich von 160 bis 320.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1109-Transistor könnte nur mit "B1109" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1109 ist der 2SD1609.Der HSB1109S ist die TO-92-Version des 2SB1109.Sie können den Transistor 2SB1109 durch einen 2SA1220A, 2SA1352, 2SA1353, 2SA1380, 2SA1381, 2SA1406, 2SA1407, 2SA1478, 2SA1479, 2SA1480, 2SA1540, 2SA1541, 2SB1110, HSB1109, KSA1220A oder KSA1381 ersetzen.