Bipolartransistor HSB1109-C

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
• Verlustleistung, max: 1.25 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -50 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126
• Electrically Similar to the Popular 2SB1109-C transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor HSB1109-C kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des HSB1109 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des HSB1109-B im Bereich von 60 bis 120, die des HSB1109-D im Bereich von 160 bis 320.Der komplementäre NPN-Transistor zum HSB1109-C ist der HSD1609-C.Sie können den Transistor HSB1109-C durch einen 2SA1142, 2SA1142Q, 2SA1209, 2SA1209-R, 2SA1210, 2SA1210-R, 2SA1220A, 2SA1220A-Q, 2SA1248, 2SA1248-R, 2SA1249, 2SA1249-R, 2SA1352, 2SA1352-E, 2SA1353, 2SA1353-E, 2SA1380, 2SA1380-E, 2SA1381, 2SA1381-E, 2SA1406, 2SA1406-E, 2SA1407, 2SA1407-E, 2SA1477, 2SA1477-R, 2SA1478, 2SA1478-E, 2SA1479, 2SA1479-E, 2SA1480, 2SA1480-E, 2SA1507, 2SA1507-R, 2SA1540, 2SA1540-E, 2SA1541, 2SA1541-E, 2SA795A, 2SB1109, 2SB1109-C, 2SB1110, 2SB1110-C, 2SB649A, 2SB649A-C, KSA1142, KSA1142O, KSA1220A, KSA1220A-O, KSA1381, KSA1381-E, KSE350, KTA1700, MJE350 oder MJE350G ersetzen.