Bipolartransistor 2SA1477-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1477-R

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.14 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126F

Pinbelegung des 2SA1477-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1477-R kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1477 liegt im Bereich von 100 bis 400, die des 2SA1477-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SA1477-T im Bereich von 200 bis 400.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1477-R-Transistor könnte nur mit "A1477-R" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1477-R ist der 2SC3787-R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1477-R

Sie können den Transistor 2SA1477-R durch einen 2SA1209, 2SA1209-R, 2SA1210, 2SA1210-R, 2SA1220A, 2SA1220A-Q, 2SA1248, 2SA1248-R, 2SA1249, 2SA1249-R, 2SA1407, 2SA1407-E, 2SA1507, 2SA1507-R, 2SA1541, 2SA1541-E, 2SA795A, 2SB649A, 2SB649A-C, KSA1220A, KSA1220A-O, KSE350, KTA1700, MJE350 oder MJE350G ersetzen.
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