Bipolartransistor HSB1109

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
• Verlustleistung, max: 1.25 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 320
• Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -50 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126
• Electrically Similar to the Popular 2SB1109 transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor HSB1109 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des HSB1109-B liegt im Bereich von 60 bis 120, die des HSB1109-C im Bereich von 100 bis 200, die des HSB1109-D im Bereich von 160 bis 320.Der komplementäre NPN-Transistor zum HSB1109 ist der HSD1609.Sie können den Transistor HSB1109 durch einen 2SA1220A, 2SA1352, 2SA1353, 2SA1380, 2SA1381, 2SA1406, 2SA1407, 2SA1478, 2SA1479, 2SA1480, 2SA1540, 2SA1541, 2SB1109, 2SB1110, KSA1220A oder KSA1381 ersetzen.