Bipolartransistor 2SB648-D

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB648-D

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.05 A
  • Verlustleistung, max: 1 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SB648-D

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB648-D kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB648 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SB648-B im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB648-C im Bereich von 100 bis 200.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB648-D-Transistor könnte nur mit "B648-D" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB648-D ist der 2SD668-D.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB648-D

Sie können den Transistor 2SB648-D durch einen 2SA1021, 2SA1021-Y, 2SA1142, 2SA1142P, 2SA1209, 2SA1210, 2SA1220, 2SA1220-P, 2SA1220A, 2SA1220A-P, 2SA1248, 2SA1249, 2SA1352, 2SA1352-F, 2SA1380, 2SA1380-F, 2SA1404, 2SA1404-F, 2SA1405, 2SA1405-F, 2SA1406, 2SA1406-F, 2SA1407, 2SA1407-F, 2SA1477, 2SA1478, 2SA1478-F, 2SA1507, 2SA1538, 2SA1538-F, 2SA1539, 2SA1539-F, 2SA1540, 2SA1540-F, 2SA1541, 2SA1541-F, 2SA795, 2SA795A, 2SA914, 2SB1109, 2SB1109-D, 2SB1110, 2SB1110-D, 2SB631K, 2SB631K-F, 2SB649, 2SB649-D, HSB1109, HSB1109-D, KSA1142, KSA1142Y, KSA1220, KSA1220-Y, KSA1220A, KSA1220A-Y, KTA1704 oder KTA1704-GR ersetzen.
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