Bipolartransistor 2SB1110

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -200 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
• Verlustleistung, max: 1.25 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 320
• Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -50 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1110 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1110-B liegt im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB1110-C im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1110-D im Bereich von 160 bis 320.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1110-Transistor könnte nur mit "B1110" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1110 ist der 2SD1610.Der BF623 (SOT-89) und BF823 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SB1110-Transistors.Sie können den Transistor 2SB1110 durch einen 2SA1352, 2SA1353, 2SA1380, 2SA1381, 2SA1406, 2SA1407, 2SA1478, 2SA1479, 2SA1480, 2SA1540, 2SA1541 oder KSA1381 ersetzen.