Bipolartransistor 2SB1186A-E

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
• Verlustleistung, max: 20 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1186A-E kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1186A liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SB1186A-D im Bereich von 60 bis 120.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1186A-E-Transistor könnte nur mit "B1186A-E" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1186A-E ist der 2SD1763A-F.Sie können den Transistor 2SB1186A-E durch einen 2SA1006, 2SA1006-Q, 2SA1006A, 2SA1006A-Q, 2SA1006B, 2SA1006B-Q, 2SA1011, 2SA1011E, 2SA1306, 2SA1306A, 2SA1306B, 2SA1668, 2SA1859A, 2SA1930, 2SA1964, 2SA1964-E, 2SA968, 2SA968A, 2SA968B, 2SB630, 2SB630-Q, 2SB940A, 2SB940A-P, KTA1659, KTA1659A, KTA968, KTA968A, KTB1369, MJE15033, MJE15033G, MJE5850 oder MJE5850G ersetzen.