Bipolartransistor 2SA1006-Q

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -180 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
• Verlustleistung, max: 25 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SA1006-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1006 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SA1006-P im Bereich von 160 bis 320, die des 2SA1006-R im Bereich von 60 bis 120.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1006-Q-Transistor könnte nur mit "A1006-Q" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1006-Q ist der 2SC2336-Q.Sie können den Transistor 2SA1006-Q durch einen 2SA1006A, 2SA1006A-Q, 2SA1006B, 2SA1006B-Q, 2SA1009, 2SA1009-H, 2SA1306A, 2SA1306B, 2SA1668, 2SA1859A, 2SA1930, 2SA968A, 2SA968B, 2SB630, 2SB630-Q, 2SB940A, 2SB940A-P, KTA1659A, KTA968A, KTB1369, MJE15033, MJE15033G, MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851 oder MJE5851G ersetzen.