Bipolartransistor 2SB1186A-D

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
• Verlustleistung, max: 20 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 120
• Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1186A-D kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1186A liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SB1186A-E im Bereich von 100 bis 200.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1186A-D-Transistor könnte nur mit "B1186A-D" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1186A-D ist der 2SD1763A-E.Sie können den Transistor 2SB1186A-D durch einen 2SA1006, 2SA1006-R, 2SA1006A, 2SA1006A-R, 2SA1006B, 2SA1006B-R, 2SA1011, 2SA1011D, 2SA1668, 2SA1859A, 2SA1964, 2SA1964-D, 2SB630, 2SB630-R, 2SB940A, 2SB940A-Q, FJP1943, FJPF1943, MJE15033, MJE15033G, MJE5850 oder MJE5850G ersetzen.