Bipolartransistor 2SA1006B-Q

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -250 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -250 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
• Verlustleistung, max: 25 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SA1006B-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1006B liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SA1006B-P im Bereich von 160 bis 320, die des 2SA1006B-R im Bereich von 60 bis 120.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1006B-Q-Transistor könnte nur mit "A1006B-Q" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1006B-Q ist der 2SC2336B-Q.Sie können den Transistor 2SA1006B-Q durch einen 2SA1009, 2SA1009-H, 2SA1009A, 2SA1009A-H, MJE15033, MJE15033G, MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852 oder MJE5852G ersetzen.