Bipolartransistor 2SA1306B

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1306B

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -200 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SA1306B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1306B kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1306B-O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SA1306B-Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1306B-Transistor könnte nur mit "A1306B" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1306B

Sie können den Transistor 2SA1306B durch einen 2SA1006A, 2SA1006B, 2SA1668, 2SA968B, MJE15033, MJE15033G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852 oder MJE5852G ersetzen.
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