Bipolartransistor 2SB630

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -200 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
• Verlustleistung, max: 25 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB630 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB630-Q liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB630-R im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB630-S im Bereich von 40 bis 80.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB630-Transistor könnte nur mit "B630" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB630 ist der 2SD610.Sie können den Transistor 2SB630 durch einen 2SA1009, 2SA1009A, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852 oder MJE5852G ersetzen.