Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1006B
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -250 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -250 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
Verlustleistung, max: 25 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 320
Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SA1006B
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1006B kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1006B-P liegt im Bereich von 160 bis 320, die des 2SA1006B-Q im Bereich von 100 bis 200, die des 2SA1006B-R im Bereich von 60 bis 120.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1006B-Transistor könnte nur mit "A1006B" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1006B ist der 2SC2336B.
