Bipolartransistor 2SA1011E

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
• Verlustleistung, max: 25 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 200
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SA1011E kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1011 liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SA1011D im Bereich von 60 bis 120.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1011E-Transistor könnte nur mit "A1011E" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1011E ist der 2SC2344E.Sie können den Transistor 2SA1011E durch einen 2SA1006, 2SA1006-Q, 2SA1006A, 2SA1006A-Q, 2SA1006B, 2SA1006B-Q, 2SA1306, 2SA1306A, 2SA1306B, 2SA1668, 2SA1859A, 2SA1930, 2SA1964, 2SA1964-E, 2SA968, 2SA968A, 2SA968B, 2SB1186A, 2SB1186A-E, 2SB630, 2SB630-Q, 2SB940A, 2SB940A-P, KTA1659, KTA1659A, KTA968, KTA968A, KTB1369, MJE15033, MJE15033G, MJE5850 oder MJE5850G ersetzen.